PHM 2018 — 离子铣蚀刻机故障 + RUL

2018 半导体设备健康
数据集介绍

PHM 2018 数据挑战赛提供晶圆制造离子铣蚀刻(Ion Mill Etching)工具的多传感器时序数据,60 个 CSV 文件(20 训练 + 20 含异常标注 + 20 TTF),24 路传感器(电压、电流、压力、流量),低采样率(约 0.25 Hz,即 4 秒一次),3 类冷却液故障模式:FlowCool 压力低(F1)、FlowCool 压力高(F2)、FlowCool 泄漏(F3),逐点标记并提供 TTF(time-to-failure)标签。数据集同时支持 FDC(故障检测与分类)和 RUL 预测,是少数同时覆盖两类任务的半导体设备公开数据集。典型预处理建议:根据主操作状态分段、异常前降采样/重采样对齐、降维特征工程(主成分分析)。可与 NASA C-MAPSS 组合用于跨领域 RUL 方法评估。社区使用情况:后续大量深度学习论文以此为基准,涵盖 GRU/LSTM、TCN、Transformer 及混合架构,是半导体设备 RUL 领域引用最多的公开数据集之一。

基本信息
行业半导体设备健康
任务fault_detection,fault_diagnosis,RUL
模态voltage,current,pressure,flow
频率档low
采样率0.25 Hz
真实度real_production
访问门槛open
质量评分★★★★☆
采用度medium
数据形态continuous_process
是否多模态
规模60 个 CSV(20 训练 + 20 标注 + 20 TTF),24 路传感器,3 类故障
License
推荐理由

少数同时覆盖故障分类 + RUL 的半导体设备时序集。

使用该数据集的代表论文
下载链接
官方主页
https://c3.ndc.nasa.gov/dashlink/resources/1009/